Mode de dany causat per la descàrrega d'ESD als circuits microelectrònics
El cablejat de mode de metall de la descàrrega de l'ESD causant danys en el circuit microelectrònic genera una espurna amb el forat de contacte del forat de difusió (o policristal·lí), fent que el contacte òsmic del metall i del silici es trenqui.
Quan la temperatura del node supera el punt de fusió del silici semiconductor (1415 ° C), el silici es fon per causar recristal·lació, provocant un curtcircuit del dispositiu. Els elèctrodes metàl·lics i el cablejat es fonen i esferoiditzen, provocant un circuit obert. Un corrent gran circula a través de la unió PN per generar calor Joule, que fa augmentar la temperatura de la unió, formant punts calents o brases, causant danys al dispositiu. L'alta corrent instantània (espurna estàtica) causada per la descàrrega electrostàtica encén una combustió inflamable, explosiva de gas o foc elèctric. Productes de treball, provocant accidents d'incendis i cremades accidentals.
La descàrrega electrostàtica fa que el cos humà sigui sotmès a xocs elèctrics, causant errors operacionals, causant d'accidents secundaris i la força de Coulomb del camp electrostàtic per dificultar línies de producció automatitzades com ara tèxtil, impressió i envasos de plàstic. El tercer tipus de risc electrostàtic és causat per la radiació electromagnètica causada per la descàrrega electrostàtica o la interferència electromagnètica causada per pols electromagnètic de descarrega electrostàtica (ESDEMP) en equips electrònics.
En general, la descàrrega electrostàtica es realitza a l'ordre dels microsegons o segons sodi, de manera que aquest procés és un procés adiabàtic en què es passa un corrent gran per formar una font local de calor d'alta temperatura. Per als dispositius microelectrònics, l'energia de descàrrega electrostàtica s'allibera a través del dispositiu, i la potència mitjana pot arribar a diversos quilowatts. La calor és difícil de difondre de la superfície de dissipació de potència, formant així un gran gradient de temperatura en el dispositiu, causant danys tèrmics locals. El rendiment del circuit es deteriora o falla.
Necessitem els següents productes antiestàtics:
Mat antiestàtic, corretja antiestàtica, contenidor antiestàtic, eliminació estàtica del vent iònic, roba antiestàtica, sabates de treball antiestàtica, carro de rotació antiestàtic, cortines antiestàtiques, envasos plàstics antiestàtics i així successivament.