L'efecte de l'acumulació de tensió electrostàtica en components
Consell bàsic: la divisió de tensió es refereix a la ruptura d'una unió de semiconductor PN o capa dielèctrica sota sobretensió. En els circuits moderns de VLSI, el gruix de la capa d'òxid de comporta és tan prima com nanòmetres, i les tensions electrostàtiques tan petites com cent volts o desenes de volts són suficients per provocar una fallada del component o la degradació del rendiment. La principal font de sobretensió és la triboelèctrica. Quan una persona entra a l'habitació o bé
La divisió de tensió es refereix a la ruptura d'una unió de semiconductor PN o capa dielèctrica sota sobretensió. En els circuits moderns de VLSI, el gruix de la capa d'òxid de comporta és tan prima com nanòmetres, i les tensions electrostàtiques tan petites com cent volts o desenes de volts són suficients per provocar una fallada del component o la degradació del rendiment.
La principal font de sobretensió és la triboelèctrica. Quan una persona entra a l'habitació o simplement elimina un circuit integrat d'un material de sobre plàstic, pot generar una tensió de 15.000 a 20000V, que supera amb escreix la tensió electrostàtica. Prenent com a exemple un transistor d’efecte de camp MOS, una porta d’alumini metàl·lic, una capa dielèctrica aïllant SIO2 i un canal N de semiconductors, aquesta estructura és equivalent a un condensador de placa plana amb una capacitat d’uns 3 PF.
Quan la càrrega estàtica s'acumula a la graella d’alumini, es coneix per V = Q / C que fins i tot una petita quantitat de càrrega fa que la tensió pugi molt alta. La tensió de resistència de la capa dielèctrica aïllant SIO2 és només d'aproximadament 100 V. Quan la tensió electrostàtica arriba o supera el valor de la tensió de resistència, la pel·lícula d'òxid es descompondrà fent que els forats facin comunicar les portes, danyant el dispositiu, causant perills ocults o fent que el dispositiu no sigui vàlid.
La ruptura de potència es refereix a la ruptura d'una unió PN de semiconductors, una capa dielèctrica aïllant, un cable de connexió, etc. sota una sobreintensitat, que està relacionada amb la forma, durada i acumulació d'energia del pols de descàrrega electrostàtica. Un corrent de descàrrega electrostàtica flueix a través de l'interior del circuit integrat provocant un augment de la temperatura de la unió PN.
Alguns poden cremar els cables de connexió interns o fer que els cables de connexió interns es redueixin, i alguns poden causar aliatge o difusió de metalls, que poden causar danys permanents o un envelliment sever del dispositiu. L’envelliment elèctric és la "degradació suau" dels més mals de cap. No es pot trobar en aquell moment, però pot fallar en qualsevol moment. En aquests moments, l’equip electrònic que l’utilitza portarà sens dubte grans perills ocults.